מסכי פוליסיליקון

TFT המניעים את התאים האינדיבידואליים בשכבת הגבישים הנוזליים בתצוגות קונבנציונליות של מטריצה פעילה, נוצרים מסיליקון חסר צורה המונח על שכב היסוד במעגל משולב.

יתרון השימוש בסיליקון חסר צורה הוא שאינו דורש טמפרטורה גבוהה , כך שניתן השתמש בזכוכית זולה כסבסטרייט , חסרונו הוא שהמבנה שלו מהווה מכשול לתנועת אלקטרונים מהירה ולכן מצריך DRIVER CIRCUITRY חזקה מאוד.

בשלב מוקדם של חקר המסך השטוח , ניכר היה שגביש או רב גביש של סיליקון (שלב גבישי בינוני המכיל גבישים קטנים רבים המחוברים זה לזה, בדומה לשכבת סוכר) יהיה החומר הטוב ביותר לשימוש. אלא שלכך נדרשה טמפרטורה עצומה מעל 1000 צלזיוס ושימוש בסבסטרייט של זכוכית מיוחדת או של קווארץ .

רק בסוף 1990 הצליחו לפתח תצוגות TFT בטמפרטורה נמוכה יותר של 450 צלזיוס. בהתחלה השתמשו בטכנולוגיה זו ליישומים בעלי תצוגה קטנה כגון פרוז'קטורים ומצלמות דיגיטליות.

אחד ממרכיבי העלות הגדולים במסך TFT הוא CIRCUITRY , הדרייבר החיצוני , הדורש מספר גדול של חיבורים חיצוניים מלוח הזכוכית, הואיל ולכל פיקסל יש את החיבור שלו ל DRIVER CIRCUITRY . זה דורש שבבים לוגיים מסודרים על ה-PCB מסביב לשוליים של התצוגה שיגבילו את גודל הקופסא החיצונית.